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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2524
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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