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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2524
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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