RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3573
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link