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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2288
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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