RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2288
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link