RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2288
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link