RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3848
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link