RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
47
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
47
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2362
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link