RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
47
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
47
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2362
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link