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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2591
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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