RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2591
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link