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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2284
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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