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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2912
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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