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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
14.3
写入速度,GB/s
1,519.2
11.2
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2912
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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