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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
46
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
20
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3127
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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