RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
46
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
20
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3127
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link