RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2633
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link