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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
46
周辺 -109% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
3200
周辺 6.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
22
読み出し速度、GB/s
2,909.8
16.1
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
8.7
メモリ帯域幅、mbps
3200
21300
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
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CAS Latency (CL) *
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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