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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4324
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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