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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4324
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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