RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2390
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link