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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
15.7
写入速度,GB/s
1,519.2
8.0
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2390
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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