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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
46
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
44
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2191
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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