RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3217
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link