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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
90
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
90
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1743
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
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