RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
90
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
90
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1743
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link