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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En -86% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
3215
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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