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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
3155
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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