RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
54
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
54
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2226
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link