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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
60
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2204
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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