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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
60
En -13% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2871
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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