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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
60
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2871
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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