RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3621
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link