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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3621
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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