RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3621
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link