RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3068
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link