RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4015
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link