RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4015
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link