RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link