RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link