RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
4048
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link