RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4048
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link