RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link