RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
59
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link