RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
24
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link