RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link