RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
58
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
58
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2504
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link