RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
52
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2374
2236
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link