RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
52
Autour de 6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
52
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2374
2236
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link