Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    49 left arrow 52
    En 6% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
    En 1.13 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 52
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.5 left arrow 10.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2374 left arrow 2236
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones