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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
52
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2374
2236
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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