Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    49 left arrow 52
    Rund um 6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 10.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2374 left arrow 2236
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche