RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
60
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2404
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link